小川 恵理さん(博士2年)がIEEE EDS Kansai ChapterのThe 2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK-2009) Best Student Awardを受賞しました。
受賞日： 2009年5月12日
氏名： 小川 恵理
学年： 博士2年
所属： 情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 量子情報エレクトロニクス講座 量子結晶フォトニクス研究室
授与団体： IEEE EDS Kansai Chapter
賞名： The 2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK-2009) Best Student Award
受賞論文名，研究題目名または受賞理由：
「Effects of high-temperature anneal on surface properties of Mg-doped GaN（MgドープGaN表面特性に与える高温熱処理効果）」