お知らせ Information

情報科学研究科 植村圭佑さん(修士2年)がInternational Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2018)のIWN2018 Student Awardを受賞しました。

受賞日: 2018年11月16日
氏名: 植村 圭佑
学年: 修士2年
所属: 情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 量子情報エレクトロニクス講座 量子知能デバイス研究室
授与団体: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2018)
賞名: IWN2018 Student Award
受賞論文名,研究題目名または受賞理由:
「Effect of Photo-electrochemical Etching and Post-metallization Annealing on Gate-controllability of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (光電気化学エッチングと金属ゲート形成後アニールがAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタのゲート制御性に与える効果)」
問い合わせ先: Tel 011-706-7175, E-mail taketomo[a]rciqe.hokudai.ac.jp (佐藤威友)

関連リンク

工学院・工学研究院

情報科学研究科

北海道大学

ページの先頭