タイプII超格子における励起子複合体と励起子ストリングの量子モンテカルロ法による研究1998年‐ （北陸先端科学技術大学院大学）
電子と正孔が空間的に分離されているタイプIIと呼ばれる超格子構造における励起子分子および荷電励起子の束縛エネルギーを計算し、電子正孔の空間配置を明らかにした。その結果に基づいて励起子が無限に結合して「励起子ストリング」を形成する可能性を示した。
T. Tsuchiya et al., “A Quantum Monte Carlo Study on Excitonic Molecules in Type-II Superlattices,” Physica B 249-251, 612-616 (1998)
T. Tsuchiya, “Biexcitons and Charged Excitons in GaAs/AlAs Type-II Superlattices: A Quantum Monte Carlo Study,” J. of Lumin. 87-89, 509-511 (2000).
T. Tsuchiya, “Possibility of Excitonic Polymers in Type-II Superlattices,” in Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by N. Miura and T. Ando (Springer, Berlin, 2001), pp.531-532. 2001.
半導体量子ドットにおける励起子複合体の量子モンテカルロ法による研究1998年‐ （北陸先端科学技術大学院大学）
量子ドットにおける励起子分子および荷電励起子の計算を行い、電子と正孔の空間的な閉じこめの違いによって生じるポテンシャルの影響で、束縛エネルギーが負になる場合があることを明らかにした。
T. Tsuchiya, “Biexcitons and Charged Excitons in Quantum Dots: A Quantum Monte Carlo Study,” Physica E 7, 470-474 (2000).
T. Tsuchiya, “ Diffusion Monte Carlo Study on Biexcitons and Charged Excitons in InGaAs Self-Assembled Quantum Dots,” IPAP Conf. Ser. 2, 201-203 (2001).
半導体量子細線における励起子複合体の量子モンテカルロ法による研究1998年‐ （北陸先端科学技術大学院大学）
GaAs/AlGaAs量子細線における励起子分子および荷電励起子の計算を行い、負の荷電励起子の束縛エネルギーが著しく増大する場合があることを明らかにした。
T. Tsuchiya, “A Quantum Monte Carlo Study on Excitonic Complexes in Quantum Wires,” Int. J. Mod Phys. B 15, 3985-3988 (2001).
タイプI量子井戸における励起子複合体の拡散モンテカルロ法による研究1996年‐ （北陸先端科学技術大学院大学）
GaAs/AlGaAs量子井戸における励起子分子および荷電励起子の計算を行い、従来励起子分子からの発光とされていたルミネッセンスピークが荷電励起子からの発光であることを示した。また界面凹凸の影響によって、井戸幅の薄い量子井戸では束縛エネルギーの増大が生じていることを明らかにした。
T. Tsuchiya, “A Quantum Monte Carlo Study of Biexcitons and Charged Excitons in Quantum Wells,” in Extended Abstract of the 17th Electronic Materials Symposium, 171-172 (1998).
T. Tsuchiya, “Binding Energy of Biexcitons and Charged Excitons in Quantum Wells: A Diffusion Monte Carlo Study,” in Proceedings of the 24th International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by D. Gershoni (World Scientific, Singapore, 1999), CD-ROM.
T. Tsuchiya, “A Quantum Monte Carlo Study on Excitonic Molecules in Quantum Wells,” Solid State Electron. 42, 1523-1526 (1998).
T. Tsuchiya, “Diffusion Monte Carlo Study on Biexcitons and Charged Excitons in Semiconductor Quantum Structures,” Progress of Theoretical Physics Supplement 138, 128 (2000).
S. Adachi, T. Tsuchiya, H. Mino, S. Takeyama, G. Karczewski, T. Wojitowicz, and J. Kossut, “Dynamical Spin Properties of Exciton and Biexciton in CdMnTe/CdTe/CdMgTe Single Quantum Well,” Physica E 10, 305-9 (2001).
土家琢磨：”半導体量子構造における励起子複合体の量子モンテカルロ計算”、固体物理 35, 41-49 (2000).
二次元電子系におけるルミネッセンスエネルギーの磁気振動の研究1993年‐1996年 （北陸先端科学技術大学院大学）
強磁場中で観測されるルミネッセンスエネルギーの磁気振動の機構について考察し、振動の位相の逆転が起こりえることを指摘した。またこの機構が実験結果を大変良く再現することを示した。
T. Tsuchiya, and T. Ando, “Magnetic Oscillation of Luminescence Energy in Single Heterostructures,” Jpn. J. Appl. Phys. Suppl. 34-1, 240-242 (1995).
T. Tsuchiya, and T. Ando, “Magnetic Oscillation of Luminescence Energy in Asymmetric Quantum Wells,” Jpn. J. Appl. Phys. 34, 4544-4547 (1995)
T. Tsuchiya, and T. Ando, “Phase of Magnetic Oscillation of Luminescence Energy in Asymmetric Quantum Wells,” Surface Science 361/362, 376-379 (1996).
土家琢磨、安藤恒也：”２次元電子系の磁気ルミネッセンスと多体効果”、固体物理, 30, 1013-1020 (1996).
半導体超格子における電子‐光学フォノン相互作用の研究1988年‐1991年 （東京大学物性研究所安藤研究室）
それまで様々な説が出されていた超格子中の電子光学フォノン相互作用の振る舞いを、格子力学の計算を再現する連続体モデルを使って明らかにした。
T. Tsuchiya and T. Ando, “Electron-Phonon Interaction in Semiconductor Superlattices,” Semicond. Sci. Technol. 7, B73-B76 (1992).
T. Tsuchiya and T. Ando, “Electron-Phonon Interaction in GaAs/AlAs Superlattices,” Phys. Rev. B47, 7240-7252 (1993).
T. Tsuchiya and T. Ando, “Mobility-Enhancement in Quantum Wells by Electronic-State Modulation,” Phys. Rev. B 48, 4599-4603 (1993).
T. Tsuchiya and T. Ando, “Effects of Electronic-State Modulation on Mobility in Quantum Wells,” Surface Science 305, 312-316 (1994).
T. Tsuchiya and T. Ando, “Polaron in GaAs/AlAs Superlattices,” in Proceedings of the 21st International Conference on the Physics of Semiconductors, edited by P. Jiang and H.-Z. Zheng (World Scientific, Singapore, 1993), pp.1004-1007.
半導体超格子における光学フォノンの研究1986年‐1988年 （東京大学物性研究所安藤研究室）
それまで様々な説が出されていた超格子中の光学フォノンの振る舞いを、格子力学の計算により明らかにした。
T. Tsuchiya, H. Akera, and T. Ando, “Phonons in GaAs/AlAs Superlattices,” Phys. Rev. B39, 6025-6033 (1989).
高電子移動度トランジスタ集積回路(HEMT LSI)の実用化研究1984年‐1986年 （富士通研究所）
HEMT 1kbit SRAM を世界に先駆けて完全動作させた。
N. Kobayashi, S. Notomi, M. Suzuki, T. Tsuchiya, K. Nishiuchi, K. Odani, A. Shibatomi, T. Mimura, and M. Abe, “A Fully Operational 1-kbit HEMT Static RAM”, IEEE Trans. Electoron. Devices, ED-33, 548-553 (1986).
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